盖世汽车讯 据外媒报道，罗姆半导体（ROHM Semiconductor）宣布，已开发出第四代650V IGBT，适用于汽车电动压缩机、高压加热器以及工业设备逆变器等应用。作为车规级650V产品，新款IGBT在VCE(sat)=1.55V时实现了同类领先的低导通损耗，同时具备高短路容差，并符合AEC-Q101汽车可靠性标准。

图片来源：罗姆

随着电动汽车向更高电压发展，碳化硅（SiC）在牵引逆变器等高功率应用中的应用日益广泛。与此同时，650V IGBT也被广泛用作低功率辅助系统的开关器件，例如汽车电动压缩机和高压加热器。硅基IGBT也广泛应用于工业设备，特别是电机和压缩机，预计市场需求将持续增长。

这些应用需要更高的节能效果和更小的设备设计，因此对具有更高可靠性、更小尺寸和更高效率的功率器件有着强劲的需求。特别是，逆变器和加热器电路需要足够的短路容限，以承受短路期间检测和中断过电流所需的时间。

为了满足这些市场需求，罗姆重新设计了器件结构，包括工艺和边缘端接结构，开发出第四代IGBT，该器件兼具低损耗特性和高短路容限，同时满足更高的电压要求。通过改进器件结构，产品提高了电流密度，同时降低了导通损耗和开关损耗。此外，尽管在降低损耗和提高短路容限之间存在权衡，但该产品在Tj = 25°C时仍能保证7 µs的超长短路耐受时间。这有助于提高应用效率和可靠性。

该产品线包括12款采用TO-247N封装的产品，即RGAxxTS65HR/RGAxxTS65EHR系列，以及10款裸晶圆产品，即SG83xxWN系列。罗姆还在开发12款采用TO-247-4L封装的产品，即RGAxxTR65HR/RGAxxTR65EHR系列。电路设计所需的设计模型和资料也可从ROHM官方网站下载。

TO-247N封装产品和部分裸晶圆产品现已上市。用户可通过DigiKey和Farnell等在线分销商购买TO-247N封装产品。

展望未来，罗姆计划在现有封装基础上进一步扩展产品线，并开发采用TO-263L封装和顶部冷却（TSC）封装的紧凑型表面贴装IGBT产品。罗姆将继续拓展其高性能IGBT产品线，助力汽车和工业设备应用实现更高效率的驱动和小型化。

应用示例

• 汽车电动压缩机

• 汽车高压加热器（PTC加热器、冷却液加热器）

• 工业设备逆变器