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罗姆推出用于SiC MOSFET的新型顶部散热封装 兼具高散热能力和高电压支持
盖世汽车
2026-06-15 16:33:23
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盖世汽车讯 据外媒报道，半导体制造商罗姆（ROHM）开发出用于SiC MOSFET的TSC3PA（14.00×18.58×3.50mm）封装。该产品采用顶部散热结构，将散热面置于封装顶部，从而实现自动化贴装，同时提供与传统通孔封装（TO-247-4L）相媲美的散热性能。这有助于提高车载充电器（OBC）和电动汽车（xEV）电动压缩机等电源转换电路的效率和可靠性。
图片来源：罗姆
在xEV领域，碳化硅（SiC）器件的应用范围已从主逆变器扩展到OBC和电动压缩机等功率转换电路，以提高充电速度并延长续航里程。此外，SiC器件也越来越多地应用于工业设备，例如高性能服务器电源和光伏（PV）逆变器等，这些应用对高效运行有着极高的要求。
传统的SiC器件通常采用通孔封装，这种封装方式在高功率运行时能够提供出色的散热性能。然而，采用通孔封装的器件需要人工安装，且其外形尺寸难以实现更小的封装厚度。在此背景下，兼容自动化贴装的表面贴装SiC器件备受青睐。针对上述问题，新型TSC3PAK采用表面贴装封装，实现了与TO-247等通孔技术相媲美的散热性能。
这款新型封装采用罗姆专有的沟槽结构，实现了6.66mm的领先爬电距离，使其能够在2级污染（Pollution Degree 2）环境下承受高达1200V的交流（AC）峰值电压，同时保持与市场上广泛使用的产品的兼容性。TSC3PAK封装在高压应用中实现了安全的绝缘设计，从而有助于降低安装成本并提高可靠性。
采用这款新型封装的产品集成了罗姆第四代SiC MOSFET，实现了低导通电阻和高速开关特性。因此，功率转换过程中的开关损耗显著降低，从而提高了应用效率并降低了功耗。
该产品于2026年6月开始量产。
