盖世汽车讯 2026年6月9日，碳化硅（SiC）半导体制造商‌Wolfspeed宣布推出第五代技术，将为下一代1200 V和750 V汽车及工业应用带来效率方面的性能跨越式提升。

图片来源：Wolfspeed

Wolfspeed首席商务官Cengiz Balkas博士表示：“凭借先前第四代（Gen 4）技术，Wolfspeed实现了客户所需的开关性能突破，而在不到两年后的今天，我们推出了第五代（Gen 5）技术，使得工程师们能够在5×5mm的SiC封装内获得尽可能高的电流。最让我兴奋的不仅仅是我们的创新节奏，更是这项技术为客户带来的可能性：助力加速打造针对实际工况条件的更智能、更高效且小型化的系统方案。”

汽车原始设备制造商（OEM）持续面临实现电气化目标的压力，而车辆成本、安全性、续航里程和充电基础设施的配套完备度依然是阻碍消费者更大范围采用电动汽车的障碍。Wolfspeed Gen 5技术旨在全面解决这些障碍，并为比导通电阻（RSP）——衡量MOSFET有源芯片面积效率的核心品质因数——树立了新的标杆。Gen 5产品使得系统架构师能够设计更紧凑的牵引逆变器，提高单次充电的续航里程，从而优化昂贵的电动汽车电池配置。同时，此技术用固态断路器替代传统机械继电器，为SiC开辟了新的应用机会，并为电动汽车充电基础设施设立了新的效率标准。

领先的单位SiC芯片面积载流能力

与同类5×5mm封装SiC MOSFET相比，基于Wolfspeed Gen 5技术的系统可在高温条件下依旧实现尽可能高的电流。Wolfspeed对导通电阻（RDS(ON)）的持续优化解决了两项备受关注的设计挑战：

• 与目前市面上的同类1200-V解决方案相对比，其最高可降低27%的RSP，显著改善了系统级导通损耗。1200-V QEM50120-25D10实现了175℃芯片级RSP为3.4mΩ-cm2，750-V QEM50075-025D10实现了175℃芯片级RSP为2.0mΩ-cm2。

• 通过针对两个电压平台均实现超窄+/- 18% RDS(ON)分布，减少了对系统级设计裕量的需求。

赋能实现经久耐用的设计

Wolfspeed Gen 5技术包含了Gen 4技术平台相同的体二极管，但同时将结温能力提升至200℃连续工作（215℃有限寿命）。这些MOSFET在实现基准RDS(ON)的同时，凭借软恢复体二极管保持了出色的开关能量；通过进一步改善反向恢复电荷，整体开关损耗也有所降低。

基于成熟的商业平台设计

Gen 5为客户提供了从方案导入（design-in）到量产的直接、低风险路径。即使面对持续攀升的人工智能（AI）需求，对于车规级产能爬坡的准备工作也不会产生影响。Gen 5技术是依托Wolfspeed位于美国纽约州莫霍克谷的可爬坡量产的200mm器件制造工厂进行设计、制造、认证的第二个Wolfspeed MOSFET技术代际。其新产品导入（NPI）、样品测试和客户验证采用200mm量产材料完成。此外，量产无需新的制造设备。

Wolfspeed功率器件与封装开发副总裁Adam Barkley博士表示：“我们的平面型MOSFET技术仍有创新的空间。Gen 5技术建立在我们客户熟悉的工具和工艺基础上，为下一代项目创造了一条低风险的升级路径。对于面临紧迫开发时间表的客户而言，这意味着更快的验证、更快的认证和更快的推向市场速度，同时无需牺牲用户认可且信赖的性能。”

供货与资源

目前，QEM50120-025D10和QEM50075-025D10的样品通过Wolfspeed的直接销售代表向特定客户提供。随着市场需求和客户要求最终确定，预计从2026年至2027年初将陆续推出更多750 V至1200 V的新产品。