盖世汽车讯 据外媒报道，全球半导体制造商Nexperia推出采用QDPAK封装的1200V碳化硅（SiC）MOSFET，进一步扩展了其不断壮大的宽禁带（WBG）产品组合。该器件采用顶部冷却的表面贴装封装，针对高功率密度和散热要求高的应用进行了优化。这些器件专为高效高压功率转换应用而设计，能够简化散热管理和机械集成，充分发挥Nexperia SiC技术的电气性能，从而在紧凑的设计中实现了更高的输出功率、更高的效率和更优异的散热性能。

图片来源：Nexperia

该产品组合提供工业级和车规级两种版本，导通电阻（RDS(on)）可选17、30、40、60和80mΩ，为从高功率系统到具有严苛散热和机械限制的紧凑型设计等各种应用提供可扩展的QDPAK平台。QDPAK是对Nexperia现有封装产品组合的补充，为设计人员提供了更大的灵活性，以优化效率、功率密度和散热性能。

QDPAK封装解决了高压功率转换系统的一个关键限制：通过PCB散热。通过在封装顶部实现芯片到散热器的直接热通路，这些器件减少了对PCB作为主要散热路径的依赖，并允许对半导体和PCB的热域进行更独立的管理。与传统的D2PAK-7封装相比，顶部冷却封装在相似的热限制下可提供高达3kW的额外输出功率，同时在相同功率水平下提供约40°C的额外热裕量。基于现有的X.PAK平台，QDPAK进一步扩展了功率处理能力，在相似的封装温度下可实现约3kW的更高功率运行，同时在相似功率水平下提供约23°C的额外热裕量。

QDPAK器件非常适合用于电动汽车车载充电器（OBC）、高压DC-DC转换器、电动汽车充电基础设施、光伏逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器和数据中心电源系统，可帮助工程师优化电气和机械系统的性能。

Nexperia SiC和IGBT产品组负责人Gaetano Pignataro表示：“随着宽禁带技术不断重塑功率转换设计，以及系统变得更小、更密集、功耗更高，业界正面临着一系列新的热学、机械和效率挑战。Nexperia致力于开发能够应对这些系统级实际挑战的解决方案。我们采用QDPAK 1200V SiC MOSFET将SiC技术的性能与顶部冷却的热优势相结合，为工程师们提供了一种实用且可扩展的下一代高功率应用方案。”

采用QDPAK封装的1200V SiC MOSFET兼具顶部冷却表面贴装封装的优势和高效高压功率转换所需的电气特性。其优异的导通电阻温度稳定性确保了可预测的导通损耗和在高结温下的可靠运行，而低电感封装设计和可控的开关特性则有助于高效运行。额外的开尔文源极引脚（Kelvin source pin）可实现更快的换向和更佳的开关控制，帮助设计人员有效管理振铃、电磁干扰（EMI）和开关瞬态效应。