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东芝扩展80V N沟道MOSFET产品线 以支持48V汽车系统
盖世汽车讯 5月13日，东芝电子欧洲有限公司（Toshiba Electronics Europe GmbH）推出两款符合AEC-Q101标准的80V N沟道MOSFET，进一步扩展其产品线，以支持48V汽车系统。XPH2R608QB和XPH3R908QB是首批采用最新一代U-MOSX-H工艺制造，并封装在带有可润湿侧翼的SOP Advance (WF)封装中的产品。
图片来源：东芝
得益于东芝的U-MOSX-H工艺，这两款产品实现了低导通电阻(RDS(ON))，使设计人员能够最大限度地提高48V系统的效率，从而提升性能并延长汽车电池寿命。 XPH2R608QB的导通电阻 (RDS(ON)) 为2.55mΩ（最大值），总栅极电荷 (Qg) 为95nC（典型值）；XPH3R908QB的导通电阻 (RDS(ON)) 为3.9mΩ（最大值），总栅极电荷 (Qg) 为 63nC（典型值），两者的栅源电压 (VGS) 均为 10V（最大值）。
此外，采用铜连接器结构的 SOP WF 封装降低了 MOSFET 的封装电阻，从而提高了效率，增强了散热性能，并提高了系统可靠性。封装的可润湿侧边设计增强了焊点的可见性，便于使用自动光学检测 (AOI) 设备验证电路板的安装情况，从而提高了整体系统可靠性。
XPH2R608QB和XPH3R908QB适用于N沟道型无刷直流 (BLDC) 电机驱动和非隔离式DC-DC降压转换器电路。除了28V汽车系统外，其他应用还包括电机驱动、开关电源和负载开关。80V汽车级U-MOSX-H系列产品线还包括采用高散热L-TOGL封装的XPQR8308QB。东芝将继续开发适用于48V系统的汽车级MOSFET产品，以满足不同客户的需求并支持各种汽车应用。
