盖世汽车讯 据外媒报道，设计并开发分立功率器件、宽带隙功率器件、电源管理IC和模块的全球供应商Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS）宣布推出其新一代（Gen3）1200V αSiC MOSFET，旨在最大限度地提高不断增长的大功率应用市场的效率。与AOS上一代产品相比，这些Gen3 MOSFET的开关品质因数（FOM）提高了高达30%，同时在高负载条件下保持了较低的传导损耗。性能提升不会影响其坚固性和可靠性，因为Gen3 MOSFET完全符合AEC-Q101标准，具有更长的使用寿命和HV-H3TRB（高压三相负载）能力。

图片来源： AOS

随着电动汽车（EV）、人工智能数据中心和可再生能源系统的电力需求激增，功率转换阶段的低效率会严重影响供电和冷却系统。对于电动汽车设计，AOS的第三代αSiC MOSFET使工程师能够创建更高功率密度和更高效率的系统，从而降低电池功耗并延长车辆续航里程。未来采用高压直流（HVDC）架构（例如800V或±400V）的人工智能数据中心将受益于更低的损耗和更高的功率密度，以满足不断增长的电力需求。为了支持这些更高的系统电压，AOS的第三代1200V器件对于实现具有必要效率的新拓扑至关重要。

全新AOS Gen3 1200V MOSFET采用TO27-4L封装，导通电阻（Rds(on)）范围从15mOhm（AOM015V120X3Q）至40mOhm（AOM040V120X3Q）。AOS计划推出更多表面贴装和顶部冷却封装以及盒式模块的Gen3 MOSFET。AOS还认证了专为高功率电动汽车牵引逆变器模块设计的更大Gen3 1200V/11mOhm MOSFET芯片，并可供晶圆销售。

AOS宽带隙产品副总裁David Sheridan表示：“电动汽车和人工智能正在改变各行各业，但它们需要先进的电力系统，即使在能源需求增加的情况下也能保持效率。我们很高兴下一代AOS αSiC MOSFET能够提供客户所需的性能，同时对环境产生积极影响。”

技术亮点：

• 符合汽车级AEC-Q101标准

• 栅极驱动电压兼容性广（+15V至+18V）

• 开关频率提升高达30%

• 符合扩展的HV-H3TRB标准

• 增强的UIS和短路保护能力