盖世汽车讯 随着汽车和工业应用中电源转换架构的快速发展，对开关拓扑结构、热管理和系统集成提出了新的要求。据外媒报道，为了满足上述需求，英飞凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）推出H-DPAK，这是其顶部冷却封装系列的新成员，集成了采用750V CoolSiC™ G2技术的半桥（HB）器件。750V CoolSiC G2技术能够提供现代电网和能源系统所需的高可靠性裕度。

图片来源：英飞凌

H-DPAK将完整的单向半桥功率级集成在单个封装中。该封装采用分体式引线框架设计，并优化了漏极焊盘，从而增强了散热效果，并确保在高密度、高功率电路板布局中符合间距要求。此外，与英飞凌成熟的Q-DPAK和TOLT封装一样，H-DPAK符合2.3mm的标准化高度，从而实现无缝的板级集成。英飞凌打造的H-DPAK是一款适用于液冷、可扩展、即插即用的解决方案，它能降低寄生回路电感，实现更干净、更快速的开关，缩小无源元件尺寸，并提供CoolSiC™技术久经考验的性能——包括出色的RDS(on)×QOSS、一流的RDS(on)×Qfr以及在雪崩、过载和短路条件下的卓越鲁棒性。

H-DPAK半桥器件是一款核心开关单元，可适应各种电源转换拓扑结构。该产品采用集成式架构，在对空间利用率和总体拥有成本要求较高的应用中，能够实现更紧凑的设计。与分立式板级解决方案相比，H-DPAK的开关频率更高，动态性能显著提升，从而实现更紧凑的磁性设计并提高整体系统效率。目标应用涵盖工业和汽车电源系统的各个领域：

• 新一代HVDC AI PSU（5L ANPC）

• HVDC电池和电容备用单元

• 固态变压器

• 家用太阳能和储能系统

• 类人机器人充电

• 两级和单级车载充电器（OBC）

• DC-DC转换器

• 电动汽车辅助设备（xEV）

750V CoolSiC G2具有低栅极电荷（Qg），可降低栅极驱动损耗；高dv/dt能力，可实现高频运行；宽栅极偏置容差，可实现更大的设计裕度并与现有栅极驱动器架构兼容。该技术非常适合对鲁棒性和开关效率要求极高的工业和汽车高功率应用。

H-DPAK扩展了英飞凌的顶部冷却封装系列，支持原生液冷，适用于当今要求最苛刻且快速发展的应用领域。

供货情况

样品现已提供。