盖世汽车讯 6月9日，安森美半导体（onsemi）宣布推出其GaNEXUS™氮化镓（GaN）功率器件产品组合，首批样品包括电压范围从40V到650V的GaNEXUS FET以及GaNEXUS Smart 650V GaN FET。该产品组合非常适合高功耗应用，例如人工智能数据中心供电、48V系统、机器人和工业自动化以及能源基础设施。

图片来源：安森美

GaNEXUS的加入进一步丰富了安森美半导体的智能功率器件产品组合，增强了公司在各种应用、电压范围和性能要求下提供优化功率解决方案的能力。作为安森美半导体更广泛的功率器件产品组合的一部分（与硅和EliteSiC技术并驾齐驱），GaNEXUS为客户提供了更大的灵活性，使其能够在完整的功率传输架构中优化性能、效率、散热性能和系统总成本。

随着人工智能基础设施、电气化、工业自动化和能源系统的发展，对更高效、更紧凑的电源架构的需求不断增长，设计人员在能耗、散热管理和系统尺寸方面面临着日益严峻的挑战。预计到2030年，仅人工智能数据中心就将消耗美国高达9%的电力，而电力和冷却成本将占数据中心总运营成本的40%。

GaNEXUS通过提供更快的开关速度、更低的开关损耗、更高的功率密度和更优异的散热性能（与传统的硅基解决方案相比），有效应对了这些挑战。这些优势使客户能够在缩小磁性元件和冷却系统尺寸的同时，提高整体系统效率和响应速度，并降低系统成本。这些应用涵盖人工智能数据中心供电、电动汽车充电、机器人和工业电源系统等领域。

“我们的GaNEXUS产品组合正在为电源系统设计带来全新的架构，”安森美半导体GaN事业部副总裁Antoine Jalabert表示，“随着客户对在更小空间内实现更高功率的需求不断增长，GaNEXUS为工程师提供了更大的灵活性，帮助他们克服传统电源架构所面临的种种限制。”

GaNEXUS解决方案旨在改进现代电源系统的能量转换和管理方式。当与安森美半导体的Treo平台（集成传感、控制、保护和电源管理功能）结合使用时，GaNEXUS可以提供更智能、更可靠、更稳健的完整系统级电源解决方案。这种系统级方法有助于客户简化设计复杂性、加快开发和认证速度、降低散热和冷却需求，并优化整个电源传输链的性能。

在低压和中压系统中，包括AI服务器48V中间总线转换器(IBC)和电池备份单元(BBU)以及电机驱动器，GaNEXUS能够：

• 磁性元件体积缩小约30–60%

• 功率密度提高约1.5倍至2倍

• 效率提高约0.5–2%，具体取决于拓扑结构

• 降低开关损耗，提高热性能和控制稳定性

在人工智能电源架、高压直流-直流转换、功率因数校正(PFC)和LLC功率级等高压应用中，GaNEXUS技术可实现：

• 高频交流-直流和谐振级中磁性元件尺寸最多可缩小约60%

• PFC、LLC和高压直流-直流架构中功率密度提高约1.5倍至2倍

• 规模化应用中效率提升约0.5%至1%，并显著降低散热和运行成本

• 更低的损耗可减少紧凑型高功率系统中的热应力

• GaNEXUS Smart技术可降低系统风险，简化功率级设计，从而加快认证速度并提高可靠性

GaNEXUS器件采用散热增强型封装，并符合行业标准的双源封装尺寸，例如TOLL底部冷却、TOLT顶部冷却以及双冷却3.3mm x 3.3mm和5mm x 6mm封装。