盖世汽车讯 据外媒报道，为超高效、高性能和高压应用提供优质碳化硅（SiC）解决方案的设计商、开发商和全球供应商SemiQ Inc宣布推出一系列1700 V SiC MOSFET，旨在满足中压高功率转换应用的需求，例如光伏和风能逆变器、储能、电动汽车和路边充电、不间断电源以及感应加热/焊接。

图片来源：SemiQ

该高速QSiC™ 1700 V开关平面D-MOSFET可实现更紧凑的大规模系统设计，具有更高的功率密度和更低的系统成本。它们具有可靠的体二极管，能够在高达175℃的温度下工作，所有组件的测试电压均超过1900 V，且UIL雪崩测试电压为 600 mJ。

该QSiC 1700 V器件既有裸片版本（GP2T030A170X），也有4引脚TO-247-4L封装分立器件版本（GP2T030A170H），带有漏极、源极、驱动器源极和栅极引脚。 这两种器件也都提供符合AEC-Q101汽车标准的版本（AS2T030A170X和AS2T030A170H）。

这些MOSFET具有低开关和传导损耗、低电容，并具有坚固的栅极氧化物以实现长期可靠性，100%的组件都经过晶圆级老化（WLBI），以筛选出潜在的薄弱氧化物器件。

SemiQ还宣布推出该系列的三个模块以简化系统设计，其中包括一个标准尺寸的62毫米半桥模块，采用带有AIN隔离底板的S3封装，以及两个SOT-227封装的电源模块。

规格

QSiC 1700 V系列裸片MOSFET的顶部为铝（Al），底部为镍/银（Ni/Ag）。该系列与TO-247-4L封装器件的功耗均为564 W，连续漏极电流为83 A（25℃情况下，而100℃情况下为61A），脉冲漏极电流为250 A（25℃情况下）。它们的栅极阈值电压为2.7 V（25℃情况下，而125℃情况下为2.1 V），RDSON为31 mΩ（25℃情况下，125℃情况下为57 mΩ），栅极源漏电流低（10n A），反向恢复时间（tRR）为17 ns。TO-247-4L封装的结壳热阻为每瓦0.27℃。

两个4针电源模块采用38.0 x 24.8 x 11.7 mm SOT-227设计，功耗增加至652 W，连续漏极电流增加至123 A（25℃情况下——GCMX015A170S1E1）和88 A（25℃情况下——GCMX030A170S1-E1）。除了低开关损耗外，这两个模块的结壳热阻低至0.19℃和0.36℃/瓦，并采用易于安装的设计，可将隔离封装直接安装到散热器上。

半桥模块采用61.4 x 106.4 x 30.9毫米9针S3封装，功耗为2113 W，连续漏极电流为397 A，脉冲漏极电流为700 A。除了低开关损耗外，GCMX005A170S3B1-N模块的结壳热阻为每瓦0.06℃。