盖世汽车讯 9月6日，先进专用集成电路（ASIC）厂商创意电子公司（GUC）宣布，其基于台积电（TSMC）5nm制程技术的HBM3 IP解决方案已通过8.4 Gbps流片验证。该平台包含全功能HBM3控制器和物理层IP（PHY IP），以及采用台积电先进CoWoS®技术的厂商HBM3内存。

（图片来源：创意电子公司）

目前，HBM内存供应商制定了积极的路线图，将传输率和内存大小从HBM3提高到HBM3E/P，并在HBM4上进一步将信号总线宽度加倍。但是，基本DRAM时序参数没有改变，并且HBM控制器变得越来越复杂，以提高总线利用率。

创意电子的HBM3控制器可在随机存取时实现90%以上的总线利用率，同时保持低延迟性。创意电子采用台积电5nm技术的HBM3 IP已通过流片验证，并于今年年初推出采用台积电3nm技术的HBM3 IP，该IP支持台积电CoWoS-S和CoWoS-R，可达到下一代HBM3E/P内存（尚在规划中）的速度。自2020年起，创意电子的HBM控制器和物理层IP已用于客户生产的HPC ASIC。

随着Level4自动驾驶计算机所需的运算能力呈爆炸式增长，车用处理器采纷纷用2.5D小芯片的架构和HBM3内存。由于严苛的车用环境和高可靠性要求，2.5D互连持续监控和替换故障通道变得不可或缺。创意电子将proteanTecs的运行状况和性能监控解决方案集成到其所有HBM和晶粒对晶粒接口测试芯片中。proteanTecs的技术现已在创意电子的5nm HBM3 IP中经过流片验证，速度高达8.4 Gbps。

在任务模式下的数据传输期间，I/O信号质量持续受到监控，无需进行任何再训练或中断传输。每个信号通道均受到单独监控，以预先进行识别和修复，从而避免因凸块和走线缺陷使系统产生运行故障，并延长芯片的使用寿命。

创意电子总经理戴尚义博士表示：“我们很荣幸能展示全球第一款8.4 Gbps的HBM3控制器和物理层IP设计方案。创意电子采用台积电的7nm、5nm和3nm技术，建立了完备的2.5D/3D小芯片IP产品组合。本公司将结合包括CoWoS、InFO和TSMC-SoIC在内的多项台积电3DFabric™技术设计专业，为客户的人工智能（AI）/高效能运算（HPC）/xPU/网络/先进驾驶辅助系统（ADAS）产品提供稳健且全方位的解决方案。”

创意电子技术长Igor Elkanovich表示：“我们在2.5D小芯片产品领域累积了深厚的制造经验，不仅藉此定义出最严谨的验证标准，更为旗下IP提供全方位的诊断功能，可满足全球先进汽车制造商最严格的质量条件。使用HBM3、GLink-2.5D/UCIe及GLink-3D界面于2.5D与3D封装的趋势有助于日后研发出高度模块化、以小芯片为基础且不受限于光罩尺寸的新一代处理器。”

（图片来源：创意电子公司）

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