盖世汽车讯 据外媒报道，半导体公司Transphorm宣布推出其1200 V FET仿真模型和初步数据表：TP120H070WS FET，这也是是迄今为止推出的唯一一款1200 V GaN-on-Sapphire功率半导体。

图片来源：Transphorm

此次发布表明Transphorm有能力支持未来的汽车电源系统，以及通常用于广泛的工业、数据通信和可再生能源市场的三相电源系统。这些应用将受益于1200 V GaN器件更高的功率密度和可靠性，以及更好的性能（与替代技术相比）。

近日，Transphorm验证GaN器件在以100 kHz开关频率的5 kW 900 V降压转换器中的更高性能。该1200 V GaN器件实现了98.7%的效率，超过了具有类似额定值的量产SiC MOSFET。

创新的1200 V技术也凸显了Transphorm在GaN功率转换领域的领导地位。凭借将垂直集成、外延所有权和专利工艺与数十年的工程专业知识相结合，Transphorm能够将性能最高的GaN器件组合推向市场，并具有四个额外的主要差异化因素：可制造性、可驾驶性、可设计性和可靠性。

TP120H070WS器件的主要规格包括：70 mΩ RDS（on）；常闭；高效双向电流；±20 Vmax栅极稳健性；低4Vth栅极驱动噪声抗扰度；零QRR；3引脚TO-247封装。

汽车电源系统和充电生态系统中的Transphorm GaN

虽然1200 V GaN器件是各种市场应用的最佳解决方案，但它为汽车系统提供了独特的优势。电动汽车行业，尤其是大型车辆的电压，逐渐转向800 V电池。因此，1200 V电源转换开关应用而生，以提供所需的性能水平。Transphorm的1200 V平台非常适合下一代车载充电器、DC-DC转换器、驱动逆变器和杆充电系统。

对于使用400 V电池的电动汽车，Transphorm提供650 V常关型SuperGaN® FET，符合AEC-Q101标准，可承受175°C并已量产。