格罗方德，汽车业务负责人郭茹表示，车规芯片呈多品种小单量、认证与生命周期长、持续供货要求高等特征，进入门槛极高。需覆盖-40℃至150℃温区，满足IATF16949、AEC-Q004零PPM等要求。，。她预计，2030年单车芯片平均价值将达3000美金以上，搭载量升至2000—3000余片；架构从区域控制向中央集中域控升级，需高灵敏感知与高带宽传输。

郭茹指出，格罗方德有超20年车规平台经验，从设计端提供车规PDK、IP与文档；晶圆制造严格把控良率，稳定交付高品质产品。格罗方德的22 FD-SOI具有高效的计算能力，低功耗与漏电表现优异，适合作为中央域控、雷达、无线Wifi等芯片的工艺，配套MRAM可满足车规1级高温要求。整车48V架构是下一代汽车电源网络的趋势，特斯拉第一个采用，国内有车企计划2027—2028年落地，将催生集成式48V BMS SOC、48V转低压电源管理及集成电机控制芯片。格罗方德的55BCD可以提供150V, 车规0级，并且可以实现高密度数字电路，适配48V 电源网络的发展趋势。

郭茹介绍，格罗方德在新加坡、德国、美国有大型的晶圆制造基地，并正在将全球制造体系落地到中国，统一PDK支持多地生产无需调整。公司覆盖12—180nmCMOS、BCD以及GaN功率器件射频、硅光等工艺平台，并且MIPS BU可以提供RISC-V 的IP组合和芯片设计服务 。

郭茹 | 格罗方德，汽车业务负责人

以下为演讲内容整理：

汽车芯片的特殊准入要求与格罗方德AutoPro质量管理体系

汽车芯片与消费级芯片存在本质差异，其进入门槛极高，主要体现在三个方面。首先是品类繁多但单一品种出货量相对有限，其次是认证周期漫长且进入难度极大，第三是产品生命周期极长，对晶圆厂的持续供货能力提出了严苛要求。在具体的技术规格层面，车规芯片必须满足AEC-Q100标准，适应零下40度至零上150度的工作环境，同时通过IATF16949生产工艺认证，并贯彻AEC-Q004标准所定义的零失效、零PPM生产制造理念。此外，功能安全标准ISO 26262不仅适用于芯片设计端，在晶圆制造层面同样需要构建相应的功能安全支持能力，提供符合车规要求的各类IP及设计方案。

格罗方德在车规平台领域拥有超过20年的深厚积淀，建立了名为AutoPro的专属车规质量管理品质体系。该体系并非仅满足于行业通用标准，而是从最底层的芯片设计阶段便介入管控。格罗方德为芯片设计厂商提供的设计文档、PDK以及整套生态IP，均经过严格的车规考量。例如，消费级芯片设计与车规级芯片设计在器件间距、器件尺寸等关键参数上存在显著差异，必须在设计初期就进行针对性的容量规划与架构调整。依托这一完备的车规设计平台，汽车芯片客户能够大幅加速其产品的认证流程，因为格罗方德直接提供了经过验证的打包版DKK。在制造环节，格罗方德执行极为严苛的质量管控标准，对于车规芯片，若其晶圆良率低于与客户共同协商设定的参数阈值，整片晶圆将执行报废处理，以此确保交付给客户的每一颗芯片都具备最高的可靠性。

 22FD-SOI特色工艺赋能下一代汽车电子架构

随着智能辅助驾驶、域控制器以及新能源高压化趋势的加速演进，汽车半导体对算力和能效比的需求呈指数级增长。传统的40纳米工艺已难以满足下一代微控制器和计算单元的性能要求，行业正快速向28纳米及22纳米节点迁移。格罗方德推出的22FD-SOI平台，基于绝缘体上硅衬底技术，并非传统的体硅CMOS工艺。该工艺在22纳米节点上即可实现对标16纳米左右的计算能力，由于其在硅层上方构建了氧化绝缘层，具备优异的绝缘性能，从而实现了极高的PPA（性能、功耗、面积）表现，其功率效率和漏电控制能力尤为出色。

在下一代微控制器单元的应用中，22FD-SOI平台能够完美适配集成嵌入式磁随机存储器（eMRAM）的需求。eMRAM具备卓越的耐高温特性，可稳定工作在汽车Grade 1等级环境下，完全满足严苛车规场景的要求。相比之下，阻变随机存储器（ReRAM）虽然在成本上具有一定优势，但在高温工况下存在稳定性不足的技术缺陷，因此格罗方德更推荐将其应用于对温度不敏感的消费级或入门级场景。目前，格罗方德的22FD-SOI平台已被多家客户采纳，广泛应用于下一代中央域控制器、雷达传感器以及蓝牙与WiFi等无线通讯芯片的设计中，成为支撑汽车电子架构从区域预控向中央集中式演进的关键工艺选择。

电子电气架构的迁移正推动汽车数据处理模式发生深刻变革。从区域预控到中央式集中预控的转变过程中，边缘端的感知触角数量激增，数据采集的灵敏度和频率要求越来越高，而这些海量数据必须通过高带宽、高速率的传输网络汇聚至中央神经系统进行处理。这一架构变革直接拉动了对高性能感知芯片、高速接口芯片以及中央计算芯片的需求，而格罗方德22FD-SOI平台所提供的优异射频特性、低功耗计算能力以及高集成度，恰好契合了这一技术演进方向。

48伏供电系统与50BCD高压工艺的电源管理创新

随着汽车芯片使用量的爆发式增长，传统12伏供电网络已接近其功率传输的极限。48伏供电系统正成为行业共识，特斯拉早在数年前便已推出该技术，其无人驾驶车辆已全面采用48伏供电架构。国内多家头部车企也计划在2027至2028年间逐步导入48伏系统。在过渡期内，48伏与12伏系统将长期并存，这将催生一系列全新的芯片需求与零部件变革。在电池管理系统（BMS）领域，针对48伏平台的BMS不再局限于简单的电压电流采样，而是将MCU与BMS功能深度集成，形成BMS SOC单芯片解决方案。在电机控制领域，48伏驱动芯片将MCU与高边、低边驱动集成于一体，实现对48伏电机的灵活精准控制。此外，48伏系统还需要专门的配电保护开关、PWM转换芯片以及智能电管理系统，许多主机厂倾向于定制专用芯片，将48伏直接转换为5伏或3.3伏，直接为MCU及外设供电，从而减少中间转换环节的能量损耗。

为全面支持48伏供电网络及高压应用场景，格罗方德推出了最新的50BCD工艺平台。BCD工艺传统上用于高压器件制造，而格罗方德的50BCD工艺将高压能力拓展至150伏。在BMS采样应用中，该工艺单芯片最高可支持30串电芯采样，若应用于磷酸铁锂电池则可达到36串，这将显著降低BMS系统的整体成本。同时，该平台支持在芯片内部集成电池阻抗谱（EIS）分析及电池模型算法，实现本地化的电池寿命与状态评估。在电机驱动方面，50BCD工艺可将多通道PWM集成于单颗芯片，实现智能电机控制。尽管该工艺定位为高压平台，但其同时具备集成高密度数字电路的能力，数字逻辑部分工作频率可达100至200兆赫兹，能够在一颗芯片内实现类似MCU的完整控制功能。格罗方德认为，50BCD工艺是面向下一代48伏汽车平台的理想选择。此外，格罗方德也在积极布局氮化镓（GaN）功率器件，初期将应用于服务器电源领域，未来亦将视市场需求拓展至汽车电子板块。

格罗方德的全球制造能力与本地化协同布局

格罗方德是一家国际化的晶圆代工企业，目前在全球范围内运营四座晶圆厂，分别位于新加坡、德国德累斯顿以及美国纽约州，同时在中国广州与当地合作伙伴建立了合资晶圆厂。这一全球制造布局使格罗方德能够为汽车客户提供立足全球制造能力、同时本地化落地中国的灵活供应方案。对于众多有出海需求的中国芯片设计企业而言，选择在海外的晶圆厂进行生产制造是进入国际供应链的必经之路。格罗方德的核心优势在于提供一套统一的PDK设计套件，客户无需因在不同地域的晶圆厂间切换而重新进行设计变更或工艺适配。例如，同一款芯片设计在中国晶圆厂完成验证后，若需为欧洲大众等客户供货，可直接切换至德国德累斯顿晶圆厂进行生产，真正实现了多地产能的无缝协同。

在具体的工艺组合方面，格罗方德拥有覆盖从180纳米到28纳米的丰富特征尺寸信号平台，以及基于SOI衬底的超低功耗平台。在FinFET领域，格罗方德可提供12纳米工艺，服务于MPU及网关芯片设计。在射频领域，格罗方德的市场占有率超过50%，其射频工艺不仅广泛应用于智能手机，在汽车的T-BOX等通讯模块中也占据重要地位。在硅光技术方面，格罗方德正积极探索其在激光雷达领域的应用潜力。在电源管理领域，全球及中国众多知名BMS厂商均采用格罗方德的工艺平台，同时该平台还广泛用于LED驱动、视频音频处理及各类模拟芯片的制造。格罗方德的晶圆厂已实现高度自动化生产，洁净室内几乎全部由自动导引车完成物料传输，最大限度减少了人工干预，确保生产过程的稳定性和一致性。

未来展望与挑战

展望未来，汽车半导体产业将面临多重机遇与挑战。从市场需求端来看，单车芯片搭载量将从目前的1000多片攀升至2000至3000多片，单车半导体价值量预计从2025年的约1500美金增长至2030年的3000美金以上。在智能辅助驾驶领域，激光雷达、毫米波雷达及CIS图像传感器等感知芯片的需求将持续放量；在座舱与车身控制领域，入门级座舱芯片及域控制器芯片的算力要求将不断提升；在新能源动力领域，高电压、大电流功率器件及高精度电池管理芯片将成为标配。

然而，地缘政治因素带来的全球多地供应需求，以及汽车芯片快速迭代与长生命周期管理之间的矛盾，对晶圆代工企业的技术路线规划和产能调配能力提出了极高要求。格罗方德通过坚持特色工艺路线，避免与先进制程的军备竞赛，转而深耕FD-SOI、BCD、射频及硅光等差异化技术节点，为汽车芯片客户提供了兼具性能、功耗与成本优势的量产方案。在零缺陷质量承诺和AutoPro品质体系的保障下，格罗方德正致力于通过一套PDK、多地制造的灵活模式，持续赋能全球汽车产业向电动化、智能化方向加速转型。

（以上内容来自格罗方德，汽车业务负责人郭茹于2026年9月16日在第六届智能汽车芯片生态大会发表的《从晶圆到整车：车规级制造如何赋能更安全、更智能的汽车》主题演讲。）