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东芯半导体-8Gb SPI NAND Flash ( DS35X8GM-A1X ) | 申报2026第八届金辑奖最佳技术实践应用奖

盖世汽车社区 2026-09-11 09:51:49
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报奖项:最佳技术实践应用奖

申报领域:车规级芯片

申报技术:8Gb SPI NAND Flash ( DS35X8GM-A1X )

创新点:符合 AEC-Q100 Grade1标准 串行存储方案,小尺寸高可靠

技术描述

电压/Voltage:1.8V/ 3.3V

温度/Temperature: -40℃~125℃

容量/Density: 8Gb

封装/Package:BGA24 / LGA8x6

速度/Speed:83MHz / 104MHz

产品通过AEC-Q100 Grade1认证,作为单芯片设计的串行通信方案,引脚少、封装尺寸小,且在同一颗粒上集成了存储阵列和控制器,并带有内部ECC模块,使其在满足数据传输效率的同时,既节约了空间,又提升了稳定性。在车规领域,广泛运用在通讯模组,蓝牙,辅助驾驶,ADAS,前视一体机,智慧座舱,倒车雷达,汽车仪表盘等场景模块中。

东芯半导体股份有限公司-企业LOGO-LOGO-40740.jpg

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