东芯半导体-8Gb SPI NAND Flash ( DS35X8GM-A1X ) | 申报2026第八届金辑奖最佳技术实践应用奖
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申报奖项:最佳技术实践应用奖
申报领域:车规级芯片
申报技术:8Gb SPI NAND Flash ( DS35X8GM-A1X )
创新点:符合 AEC-Q100 Grade1标准 串行存储方案,小尺寸高可靠
技术描述:
电压/Voltage:1.8V/ 3.3V
温度/Temperature: -40℃~125℃
容量/Density: 8Gb
封装/Package:BGA24 / LGA8x6
速度/Speed:83MHz / 104MHz
产品通过AEC-Q100 Grade1认证,作为单芯片设计的串行通信方案,引脚少、封装尺寸小,且在同一颗粒上集成了存储阵列和控制器,并带有内部ECC模块,使其在满足数据传输效率的同时,既节约了空间,又提升了稳定性。在车规领域,广泛运用在通讯模组,蓝牙,辅助驾驶,ADAS,前视一体机,智慧座舱,倒车雷达,汽车仪表盘等场景模块中。

“金辑奖”由盖世汽车发起,秉承“发现好公司、推广好技术、成就产业人”的使命。2026年,第八届金辑奖以“中国方案向全球”为年度主题,聚焦汽车产业核心技术与创新赛道,寻找在中国市场形成、经过中国汽车产业验证,并具备全球复制价值的技术、产品、工程体系与产业协同能力。围绕真实问题、产业验证、全球适配与长期价值,金辑奖将依托盖世汽车32万家企业供应链数据库及产业研究能力,通过企业申报、产业数据和专家评审等多维度评价,发现具有产业价值与全球潜力的创新成果,并进一步沉淀为面向全球汽车产业的创新案例库。
欢欢@盖世汽车供应链
悠悠@盖世汽车
豆豆@盖世汽车






