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东芝扩展符合AEC-Q101标准的40V N沟道MOSFET产品线
盖世汽车讯 据外媒报道，东芝电子欧洲有限公司（Toshiba Electronics Europe GmbH，东芝）发布符合汽车级标准的40V、120A N沟道功率MOSFET XPJ1R504PB，该MOSFET采用S-TOGL™封装，进一步丰富了其12V系统产品线。目标应用包括逆变器、半导体继电器、负载开关和电机驱动器。东芝通过在其现有的S-TOGL™封装产品线（包括XPJR6604PB和XPJ1R004PB）中新增这款40V MOSFET，扩展了其产品选择范围，以满足各种应用和性能需求。
图片来源：东芝
近年来，随着汽车电气化的发展，逆变器和电机驱动器的应用日益广泛，推动了更高输出功率和效率的提升。为了应对这些趋势，MOSFET必须兼具低功耗和高散热性能。采用S-TOGL封装的XPJ1R504PB可实现紧凑、高密度安装，并具有出色的散热性能，从而缩小汽车设备的尺寸并提高效率。
由于这类汽车设备需要在各种温度条件下运行，焊点的可靠性至关重要。S-TOGL封装采用鸥翼形引线，有助于缓解安装应力，从而提高焊接连接的机械可靠性。此外，该封装采用无柱结构，将芯片的源极连接和外部引线集成在一起，从而降低寄生电阻，并在栅源电压 (VGS) 为10V时实现1.54mΩ（最大值）的导通电阻 (RDS(ON))。
S-TOGL封装采用厚铜框架，将沟道与外壳之间的瞬态热阻抗 (Zth(ch-c)) 降低至0.76°C/W，从而降低导通损耗并抑制发热，进而提高系统整体效率。
此外，源极引线采用多引脚结构，增强了电流分布，从而实现高电流承载能力。
东芝将继续开发适用于各种应用和系统要求的汽车MOSFET产品，从而为提高效率做出贡献。
