韩国浦项科技大学推出新型晶体管技术 可大幅简化电路设计并提升数据处理速度
盖世汽车讯 智能手机普及至今不到二十年,人工智能如今已在智能手环等穿戴设备上落地运行。然而挑战随之而来:设备体积持续微型化,但其需处理的数据量与承载的功能却呈指数级增长。
据外媒报道,韩国浦项科技大学(POSTECH)电气工程系与半导体工程系的Byoung Hun Lee教授领衔团队,联合电气工程系的Jae Hyeon Jun博士,研发出一款新型晶体管技术,可让单个半导体器件同步实现多种电路功能。相较传统方案,该技术大幅简化电路设计,也将数据处理速度提升至原来的四倍。相关研究成果已发表于期刊《先进功能材料(Advanced Functional Materials)》。
在更小尺寸的芯片中集成更多功能,是半导体行业面临的核心难题之一。随着功能数量的增加,所需的电路和晶体管的数量也随之增加。此外,对已制成的半导体芯片新增功能时,为保护原有芯片结构,后端制程温度必须控制在400摄氏度以下。
该研究团队将研究方向聚焦于氧化锌(ZnO)与碲(Te)两种材料。二者均可在200摄氏度以下制备出均匀薄膜,是极具潜力的下一代半导体材料。研究团队将两种材料结合,打造出氧化锌-碲异质结晶体管。
这款器件的电流调控方式十分独特。传统半导体的电流通常会随电压升高而增大,而该器件具备负微分跨导(NDT) 特性:在特定电压区间内,电流会随电压上升而下降。团队更进一步,成功实现双重负微分跨导(D-NDT),即在单个器件内连续两次出现该特性。简单来说,这项技术让单颗器件能够胜任原本需要多颗器件分工完成的工作,有效降低电路复杂度。
技术核心在于精准把控两种材料的交叠长度。交叠区域较短时,电流仅发生一次变化;然而,交叠区域加长后,器件内部会同时形成横向与纵向电流,进而产生双重电流峰值。这就好比直行的电流来到立体路口后可实现复杂分流,该器件也由此具备了更强大的复杂信号处理能力。

图片来源:韩国浦项科技大学
研究团队利用这款器件制作出四倍频器,可将一路输入信号转化为四路输出信号。该功能传统方案需要多颗晶体管协同实现,而新技术仅用单颗器件即可完成,晶体管使用数量直接减少75%。实测电路实验也证实,在单个输入信号周期内,数据处理速度提升至原来的四倍。
Byoung Hun Lee教授表示:“本次研究证明,在单器件层面实现复杂电路功能具备可行性。我们认为这项技术将广泛应用于超小型人工智能设备,以及三维集成、超高密度半导体系统的研发当中。”
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