盖世汽车讯 3月25日，美国半导体制造商Diodes Incorporated（Diodes）宣布扩展其符合汽车级标准的PowerDI8080-5 N沟道MOSFET产品组合，推出超低导通电阻RDS(ON）、100V MOSFET。

图片来源： Diodes

与全新40V至80V MOSFET一同发布的还有8mm x 8mm鸥翼引线器件，旨在最大限度地减少导通损耗、降低发热量并提高整体效率。应用领域包括无刷直流（BLDC）电机以及纯电动汽车（BEV）、混合动力汽车（HEV）和内燃机（ICE）平台中的DC-DC转换系统。

工程师可利用额定电压为100V的DMTH10H1M7SPGWQ的1.5mΩ（最大）导通电阻（RDS(ON）），将其应用于48V无刷直流电机驱动器，例如动力转向和制动系统。其他高功率应用包括电池断路开关和车载充电器（OBC）。设计人员也可选择额定电压为80V的DMTH81M2SPGWQ。

额定电压为40V的DMTH4M40SPGWQ的最大导通电阻（RDS(ON））仅为0.4mΩ，是业内最低的电阻之一，适用于12V无刷直流电机和直流-直流应用。额定电压为40V的逻辑MOSFET DMTH4M40LPGWQ在4.5V栅源电压（VGS）下具有0.64mΩ的低导通电阻（RDS(ON）），适用于低压、微控制器驱动的汽车应用，例如执行器/风扇控制和负载开关，且不会增加导通损耗。额定电压为60V的DMTH6M70SPGWQ则为24V应用提供高性能。

PowerDI8080-5封装的PCB面积仅为64mm²，约为传统TO-263（D2PAK）封装面积的40%，板外厚度仅为1.7mm，使其成为小尺寸应用的理想之选。此外，铜夹芯片键合技术将热阻（RthJC）降低至0.3°C/W，从而可在高达847A的漏极电流下稳定工作。鸥翼形引脚设计便于自动光学检测（AOI），并增强了温度循环可靠性，从而支持严苛的汽车制造工艺。