盖世汽车讯 9月18日，Nexperia宣布推出符合AEC-Q101标准的新款100 V MOSFET，采用紧凑型CCPAK1212（12 x 12毫米）铜夹封装。这些器件具有超低导通损耗，导通电阻（RDS(on)）低至0.99 mΩ，并可实现460 A以上的安全电流。

图片来源： Nexperia

产品包含顶部和底部散热封装组合，非常适合对散热要求严格的48 V汽车应用，包括车载充电器（OBC）、牵引逆变器和电池管理系统（BMS）。除了乘用车之外，新款MOSFET还适用于两轮和三轮电动汽车、DC-DC转换器以及工业大电流模块，这些应用对效率和热可靠性同样至关重要。

汽车原始设备制造商（OEM）正在迅速从12 V子系统转向48 V子系统，以提高效率、减轻重量并延长xEV平台的续航里程。在这些高功率应用中，最大限度地降低传导损耗至关重要。为了实现这一点，设计人员通常将多个MOSFET并联以满足性能需求，但这种方法会增加所需的元件数量和电路板空间。Nexperia的CCPAK1212 MOSFET具有超低RDS(on)和高功率密度，减少了对并联器件的需求，并且由于其紧凑的尺寸，与传统的TOLL或TOLT封装替代方案相比，可节省高达40%的PCB空间。

新一代100 V AEC-Q101沟槽硅平台，结合Nexperia专有的铜夹CCPAK1212封装的卓越散热性能（Rth(j-b）= 0.1 K/W），可实现超低导通电阻RDS(on)。这些特性共同构成了48 V汽车系统所需的关键优势——高电流能力、卓越的功率密度以及高达400 A（100 V时）的稳定安全工作区（SOA)。

为了最大限度地提高设计灵活性，这些器件提供倒置顶部冷却（CCPAK1212i）和底部冷却（CCPAK1212）版本，为工程师提供紧凑布局和优化热管理的选项，以满足其系统需求。