盖世汽车讯 3月5日，英飞凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）推出下一代碳化硅（SiC）MOSFET 沟槽技术，开启电力系统和能源转换的新篇章。与上一代产品相比，新型英飞凌CoolSiC™ MOSFET 650 V和1200 V第2代将MOSFET的关键性能指标（例如存储能量和电荷）提高了20%，且不影响质量和可靠性水平，从而提高了整体能源效率，并进一步推动脱碳进程。

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CoolSiC MOSFET第2代（G2）技术利用碳化硅的性能，降低能量损耗，从而在功率转换过程中转化为更高的效率。这为光伏、储能、直流电动汽车充电、电机驱动和工业电源等各种功率半导体应用的客户带来了巨大的优势。与前几代产品相比，配备CoolSiC G2的电动汽车直流快速充电站可减少高达10%的功率损耗，同时在不影响外形尺寸的情况下实现更高的充电容量。基于CoolSiC G2器件的牵引逆变器可以进一步增加电动汽车的续航里程。在可再生能源领域，采用CoolSiC G2设计的太阳能逆变器可以在保持高功率输出的同时缩小尺寸，从而降低每瓦成本。

“大趋势需要新的、高效的方式来产生、传输和消耗能源。凭借CoolSiC MOSFET G2，英飞凌将碳化硅性能提升到了一个新的水平。”英飞凌绿色工业电力部门总裁Peter Wawer博士说道。“新一代SiC技术能够加速设计成本更加优化、紧凑、可靠且高效的系统，从而节省能源并减少现场安装的每瓦特的CO2排放量。”

英飞凌领先的CoolSiC MOSFET沟槽技术有助于实现高性能CoolSiC G2解决方案，提供了优化的设计，与当前SiC MOSFET技术相比，可实现更高的效率和可靠性。结合屡获殊荣的XT封装技术，英飞凌进一步增强了基于CoolSiC G2的设计潜力，具有更高的导热性、更好的装配控制和更高的性能。