盖世汽车讯 据外媒报道，东芝电子欧洲分公司（Toshiba Electronics Europe）推出一对采用其最新U-MOS IX-H工艺的车规级40V N沟道功率MOSFET。新器件采用新型S-TOGLTM（Small Transistor Outline Gull-wing Leads，小型晶体管鸥翼引线）封装，可在汽车应用中提供多种优势。

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汽车安全关键应用（转向、制动和自动驾驶系统等）通常需要比其他系统更多的设备来满足冗余要求。由于尺寸限制，汽车设备需要具有高电流密度的功率MOSFET。

新型XPJR6604PB和XPJ1R004PB的VDSS额定值为40V，其中XPJR6604PB的额定连续漏极电流（ID）为200A，而XPJ1R004PB为160A。两款器件的脉冲电流（IDP）额定值均为该值的3倍，分别为600A和480A。而200A额定值高于东芝6.5mm × 9.5mm DPAK+封装所达到的额定值。

新型XPJR6604PB和XPJ1R004PB汽车MOSFET采用东芝创新的新型S-TOGLTM封装，尺寸仅为7.0mm × 8.44mm × 2.3mm。该产品采用无柱结构，源极引线采用多引脚结构，可显著降低封装电阻。

将S-TOGLTM封装与东芝的U-MOS IX-H工艺相结合，XPJR6604PB具有导通电阻（RDS（ON））。与该器件相比，安装面积减少了约55%，同时保留通道至外壳热阻特性（Zth（ch-c））- XPJR6604PB = 0.4°C/W和XPJ1R004PB = 0.67°C/W。

许多汽车应用都处于极其恶劣的环境中，因此表面贴装焊点的可靠性是一个关键的考虑因素。东芝的S-TOGLTM封装采用鸥翼引线，可减少安装应力，提高焊点的可靠性。

这些MOSFET适合恶劣的温度环境，符合AEC-Q101标准，能够在高达175°C的通道温度（Tch）运行。东芝为这些器件提供匹配的供货，其中每个卷轴的栅极阈值电压范围不超过 0.4V。这有助于为需要并行连接以进行高电流操作的应用提供较小的特性变化设计。