盖世汽车讯 据外媒报道，马自达汽车公司（Mazda Motor Corporation）与罗姆株式会社（ROHM）宣布已开始联合开发使用氮化镓（GaN）功率半导体的汽车零部件，其中氮化镓功率半导体有望成为下一代半导体。

图片来源：罗姆

自2022年以来，马自达和罗姆一直在电动驱动装置开发和生产的合作框架下，推进使用碳化硅（SiC）功率半导体的逆变器的联合开发。现在，两家公司还开始开发使用GaN功率半导体的汽车零部件，旨在为下一代电动汽车打造创新的汽车零部件。

GaN作为下一代功率半导体材料备受关注。与传统的硅（Si）功率半导体相比，GaN可以减少功率转换损耗，并通过高频操作有助于组件的小型化。

两家公司将合作将这些优势转化为考虑整个车辆的封装，以及在减轻重量和设计方面进行创新的解决方案。马自达和罗姆的目标是在2025财年内实现这一概念并推出演示模型，并在2027财年实现生产。

马自达董事、高级执行官兼首席技术官Ichiro Hirose表示：“随着追求碳中和的电气化进程不断加快，我们很高兴与罗姆合作开发和生产电动汽车汽车零部件，罗姆的目标是凭借其出色的半导体技术和先进的系统解决方案能力，创造一个可持续的移动社会。我们很高兴能共同打造一条直接连接半导体器件和汽车的新价值链。通过与拥有共同愿景的合作伙伴合作，马自达将继续提供充满‘驾驶乐趣’的产品，让客户即使在电动汽车中也能真正享受驾驶的乐趣。”

罗姆董事会成员兼高级管理执行官Katsumi Azuma表示：“我们非常高兴与追求‘驾驶乐趣’的马自达合作开发电动汽车用汽车零部件。罗姆的EcoGaN™能够高频运行，其控制IC可最大程度地发挥其性能，是实现小型化和节能的关键。为了在社会上实现这一点，与众多公司的合作至关重要，我们已经建立了各种合作伙伴关系，以开发和批量生产GaN。通过与致力于打造‘与地球和社会可持续共存的汽车’的马自达合作，我们将从应用和最终产品开发的角度了解GaN的要求，为GaN功率半导体的普及和可持续移动社会的创建做出贡献。”