盖世汽车讯 9月19日，化合物半导体晶圆产品及先进材料解决方案供应商IQE宣布与汽车领域的氮化镓（GaN）功率产品供应商VisIC Technologies达成战略合作，以研发用于电动汽车逆变器的D-Mode GaN功率器件。IQE与VisIC Technologies将合作研发200毫米（8”）D-Mode GaN功率外延片（epiwafer），该产品将于IQE在英国的工厂进行研发，并将利用到IQE在GaN方面的专业技术。

图源自VisIC官网

VisIC Technologies凭借其突破性的直接驱动D-Mode氮化镓技术（Direct Drive D-Mode GaN，D3GaN technology），使电动汽车逆变器的未来成为焦点。这项技术有望降低电动汽车的功率损耗、提升可靠性并增强性能。通过将VisIC Technologies的创新型功率电子器件（Power Electronics）解决方案与IQE的外延技术相结合，双方合作旨在加快电动汽车中硅上氮化镓技术（GaN-on-Silicon technology）的应用，为可持续交通改革做出巨大贡献。

VisIC Technologies与IQE之间的合作标志着IQE的多元发展战略（进军高增长功率器件市场）达到新里程碑。IQE首次于2022年资本市场日（2022 Capital Markets Day）宣布该战略。IQE在GaN功率外延片市场看到了大量商机，并预计该市场价值有望于2027年达到632,000,000美元。

IQE首席执行官Americo Lemos表示：“我们很荣幸地宣布能与VisIC Technologies进行合作，共同研发用于电动汽车的GaN功率技术。我们与VisIC Technoloiges在该领域的专业经验能帮助我们更好地合作。这也标志着IQE在多元化策略中所取得的进展，我们希望能够抓住GaN汽车功率器件市场中的发展机会，这对于支持向电动汽车过渡至关重要。”

VisIC Technologies首席执行官兼联合创始人Tamara Baksht博士表示：“我们相信与IQE合作是重塑电动汽车市场的关键一步。凭借其该领域的交付业绩和领先的技术地位，IQE是我们合作开发下一代技术以推动电动汽车改革的理想合作伙伴。我司的D3GaN技术有改革电动汽车的潜力，能够使车辆更加有效、可靠且可持续。我们与IQE定能创造一个更光明绿色的交通领域未来。双方的合作提高了硅上氮化镓突破性技术的可行性，并为服务于汽车行业的弹性供应链铺平了道路。”