盖世汽车讯 据外媒报道，纳微半导体公司（Navitas Semiconductor）推出集成度更高的氮化镓（GaN）技术GaNSafe，适合高达22kW的高功率应用。

（图片来源：Navitas）

作为该公司的第四代GaN技术，高性能宽禁带功率平台GaNSafe旨在满足1-22kW的应用需求，包括数据中心电源、太阳能微型逆变器和电动汽车中的DC-DC转换器。

该产品增加了控制、传感、米勒钳位（Miller clamp）、电平位移（level shift）和保护功能，可提供20年保修。Navitas公司于近日在中国台湾推出该技术，不仅得到其制造合作伙伴台积电（TSMC）的支持，而且集成了光环驱动器合资企业（Halo driver joint venture）和比利时数字隔离初创公司VDD Tech的技术。

纳微公司营销副总裁Stephen Oliver表示：“自2016年以来，纳微公司一直采取将GaN稳压器和栅极驱动器与FET集成到硅板上的做法。该技术已经应用于手机充电器和家用电器，但在数据中心、太阳能和汽车应用中，一直无法满足功率和可靠性要求。凭借GaNSafe，纳微可以拥有电气性能更稳健的产品，即在同一芯片上具有2000V ESD保护二极管，隔离电压为800V和用于栅极驱动器的可调节的开启和关闭速度（dv/dt）。”

初期的高功率650 V GaNSafe产品组合的导磁电阻范围为35-98 mΩ，并采用新型四引脚表面贴装10 x 10mm TOLL封装。

该芯片集成稳压栅极驱动控制，具有零闸极-源回路电感，可实现可靠的高速2 MHz开关功能，从而充分提高应用功率密度。通过高速短路保护，该方案可在50 ns内完成自主“检测和保护”功能。

该产品的静电放电（ESD）保护为2kV，因此可以采用四引脚封装进行更简洁和更高频率的设计。受益于可调节的开启和关闭速度（dV/dt），可以简化电磁干扰（EMI）监管要求。Oliver表示：“该产品采用坚固的TOLL封装，因为缓动铜套（copper slug）的质量是方形扁平无引脚封装（QFN）的2.5倍，可以提供更多的热支持。”

该技术已用于3.2kW 1U数据中心电源系统，功率密度为5.9 W/cc，即接近100 W/in3。与同等的传统硅方法（开关频率为300kHz）相比，其体积减少40%，在30%负载下效率达到96.5%以上，从20%扩展到60%负载时，效率达到96%以上。Oliver表示：“GaNSafe的所有设备均能实现 2MHz开关能力，超出大多数微控制器的处理能力。”

同样，配备3 kW DC-DC转换器的6.6 kW三合一双向电动汽车车载充电器（OBC）可实现96%以上的效率，功率密度提高50%以上。该公司正在与中国汽车制造商极氪（Zeekr）合作，利用GaNSafe和去年收购的GeneSiC碳化硅技术进行设计，并开发11kW和22kW充电系统。

该GaNSafe产品组合现向合格客户提供，预计将于2023年第四季度开始大规模生产。目前，已有40个客户项目在使用GaNSafe，涉及数据中心、太阳能、能源存储和电动汽车应用领域。