盖世汽车讯 据外媒报道，英飞凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）推出分立式 650 V IGBT7 H7型号，以扩展其第七代TRENCHSTOP™系列绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。

（图片来源：英飞凌公司）

这些器件采用先进的EC7共封装二极管，以及先进的发射器控制设计，并结合高速技术，以满足市场对环保和高效电源解决方案不断增长的需求。

TRENCHSTOP IGBT7 H7采用最新的微图案沟槽（micro-pattern trench）技术，可以提供卓越的控制能力和性能，从而大幅降低损耗、提高效率，并实现更高的功率密度。因此，该器件非常适合各种应用，例如串逆变器、储能系统（ESS）、电动汽车充电应用，以及工业不间断电源（UPS）和焊接等传统应用。

在分立式封装中，该650 V TRENCHSTOP IGBT7 H7可提供高达150 A的电流。该产品组合包括40 A-150 A型号，可提供四种不同的封装类型，包括TO-247-3 HCC、TO-247-4、TO-247-3 Plus和TO-247-4 Plus。

TRENCHSTOP IGBT 7 H7中的TO-247-3 HCC型号具有高爬电距离。为了提高性能，TO-247 4引脚封装（标准：IKZA，增强型：IKY）特别适合，因为不仅可降低开关损耗，而且提供了额外优势，例如电压过冲更低，可充分减少传导损耗，以及将反向电流损耗降至最低。凭借这些功能，TRENCHSTOP IGBT 7 H7的设计比较简洁，并充分减少对并联设备的需要。此外，650 V TRENCHSTOP IGBT 7 H7具有强大的防潮性能，可在恶劣环境下可靠运行。

该器件已通过JEDEC47/20/22相关测试，特别是HV-H3TRB，符合工业用途，非常适合户外应用。该IGBT专为满足绿色高效电力应用的需求而设计，比前几代产品有了明显提升。因此，TRENCHSTOP IGBT 7 H7是太阳能和ESS等应用中常用NPC1拓扑的理想补充。