盖世汽车讯 6月13日，英飞凌科技股份公司（Infineon Technologies）宣布推出适用于汽车应用的新一代1200 V CoolSiC™ MOSFET，采用TO263-7封装。该车规级碳化硅（SiC）MOSFET可提供高功率密度和效率，支持双向充电，并可显著降低车载充电（OBC）和DC-DC应用的系统成本。

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与第一代产品相比，新1200 V CoolSiC系列产品的开关损耗降低了25%，从而可提供一流的开关性能。这种改进可实现高频操作，从而缩小系统尺寸并提高功率密度。凭借大于4 V的栅源阈值电压（V GS（th））和非常低的Crss/Ciss比，开关可在V GS = 0 V时实现可靠关断，不会发生寄生导通（parasitic turn-ons）。因此开关可实现单极驱动，从而降低系统成本和复杂性。此外，新一代产品具有低导通电阻（R DS（on）），可在-55°C至175°C的整个温度范围内降低传导损耗。

先进的扩散焊接芯片安装技术（.XT技术）显著提高了封装的热性能，且与第一代产品相比，新SiC MOSFET结温降低了25%。

此外，该MOSFET的爬电距离为5.89 mm，满足800 V系统要求并减少涂层工作量。英飞凌提供一系列R DS（on）选项，以满足不同的应用需求，包括目前市场上唯一采用TO263-7封装的9 mΩ类型。

KOSTAL在其OBC平台中使用CoolSiC MOSFET

科世达（KOSTAL）全球领先的汽车充电器系统供应商。凭借其标准平台方法，科世达已在全球范围内交付多种安全、可靠和高效的产品，以满足不同OEM要求和全球法规。科世达Automobil Elektrik在其面向中国OEM的下一代OBC平台中采用了英飞凌最新的CoolSiC MOSFET。

科世达亚洲区副总裁兼技术执行经理Shen Jianyu表示：“作为我们下一代OBC平台的关键组件，英飞凌的新型1200 V CoolSiC Trench MOSFET具有高额定电压和合格的稳健性。这些优势有助于我们创建兼容的设计，以管理我们最先进的技术解决方案、成本优化和大规模市场交付。”