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美格纳推出第三代200V MV MOSFET
盖世汽车讯 9月6日，美格纳半导体公司（Magnachip Semiconductor）宣布推出用于轻型电动汽车（LEV）电机控制器和工业电源的第三代200V中压（MV）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。
图片来源：美格纳
为了最大限度地提高功率器件的能效，美格纳新型200V MOSFET采用第三代沟槽MOSFET技术。与上一代100V MV MOSFET相比，第三代200V MV MOSFET的电容降低了50%，且核心单元和终端的增强设计有助于降低RDS（on）（导通电阻）和总栅极电荷，从而实现高品质因数。
此外，第三代MOSFET可采用三种通孔型表面贴装器件TO-Leadless Package（TOLL）、M2PAK和TO-220，以减小产品尺寸并增强散热。由于快速开关和高功率密度，第三代MOSFET还大大提高了能效。再加上-55°C至175°C的保证工作结温和高水平的雪崩耐受性，第三代MOSFET非常适合需要高效率和稳定电源的LEV电机控制器和工业电源。
有研究机构预计，2020年至2025年，全球硅功率MOSFET市场在汽车和工业领域的年增长率将分别达到11.5%和9.6%。尤其是LEV市场不断快速扩张，将加速对脱碳以及对高效且高性价比车辆的需求。
美格纳首席执行官YJ Kim表示：“汽车和工业领域先进应用的发展正在推动对高性能MV MOSFET的需求。美格纳将不断升级MV MOSFET产品线，从40V到200V，从而使客户能够增强客户的产品竞争力。”
