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Nexperia推出大功率GaN场效应晶体管 具成本优势
（图源：Nexperia官网）
盖世汽车讯 据外媒报道，功率和分立器件专家Nexperia采用硅基氮化镓（GaN-on-Silicon）技术，推出第一款大功率GaN场效应晶体管。
Nexperia公司MOS分立式器件业务集团总经理Toni Versluijs表示：“Nexperia准备进军高压领域，因此推出这一战略举措。现在，我们能够提供适用于电动汽车（xEV）功率半导体应用的技术。我们的GaN技术已经可以量产，满足大批量应用。汽车行业是Nexperia关注的重点领域，随着电动汽车取代传统内燃机汽车，成为个人和公共交通的首选工具，预计未来20年该行业将显著增长。”
该工艺在大型硅衬底上生成GaN厚外延层，并获得合适的外延性能，因此，可以利用标准的150mm晶圆生产线，进行初级生产，具有批量生产所需的可扩展性，以及成本优势。
650V GAN063-650WSA的栅极电压为±20V，工作温度在-55至+175°C之间。产品特色在于，导通电阻低至60 mΩ，可以减少损耗，支持频率切换，提高电源效率。重要的是，该产品采用业内常用的标准TO-247封装，更便于设计者操作，提升产品性能。
GAN063-650WSA GaN场效应晶体管是Nexperia旗下GaN系列设备首款产品，适用于汽车、通信基础设施和工业领域。
