盖世汽车讯 据外媒报道，东芝电子欧洲有限公司（Toshiba Electronics Europe GmbH，东芝）推出三款全新40V N沟道功率MOSFET：XPMR5904PB（现已上市），XPMR7404PB和XPMR8504PB（即将上市）。这些器件采用新推出的SOP Advance（EWF）封装，专为要求严苛的汽车应用而设计，包括逆变器、半导体继电器、负载开关和电机驱动器。

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XPMR5904PB的主要特点是采用SOP Advance（EWF）封装。该封装采用无柱结构，通过铜夹而非内部柱连接芯片和外部引脚。这种架构改进省去了内部柱，显著降低了电流路径的电阻。此外，该器件还采用源极耦合结构，将源极端子连接到封装背面，从而增加了与PCB焊盘的接触面积。这种内部结构优化扩大了芯片的安装面积，并提高了载流能力，使XPMR5904PB的漏极电流（DC）额定值达到180A，是采用类似SOP Advance（WF）封装的现有产品的1.2倍。

为满足高电流汽车应用需求并提升能效，XPMR5904PB的性能指标也得到了显著提升。与现有XPHR7904PS相比，XPMR5904PB的漏源导通电阻（RDS(ON)）降低了约25%，沟道到外壳（channel-to-case）热阻抗（Zth(ch−c)）降低了约38%。这些改进直接降低了汽车设备的功率损耗，并提高了效率。

SOP Advance（EWF）是一种采用可润湿侧翼结构的表面贴装封装，有助于实现制造可靠性和检测流程。这种设计确保焊点清晰可见，便于使用自动光学检测（AOI）设备确认安装状态。该特性可实现生产线上的检测流程自动化，并确保器件符合汽车电子元件可靠性测试标准AEC-Q101的严格质量要求。

东芝将继续致力于扩大其功率半导体产品线，并提供高性能汽车MOSFET，以支持各种汽车应用，并为实现碳中和做出贡献。