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2026年样品问世，安森美携手格罗方德共研650V氮化镓器件
12月19日，安森美半导体今日宣布与格罗方德半导体（GF）签署合作协议，将采用GF先进的200毫米eMode氮化镓硅基工艺开发并制造先进氮化镓（GaN）功率产品，首款产品为650V器件。
图片来源：安森美半导体
此次合作将加速安森美半导体高性能GaN器件及集成功率级产品路线图的推进，通过扩展高压产品组合满足人工智能数据中心、电动汽车、可再生能源、工业系统以及航空航天、国防和安全领域日益增长的功率需求。
安森美半导体企业战略高级副总裁迪内什·拉马纳森（Dinesh Ramanathan）表示，此次合作融合了安森美半导体的系统与产品专长及格罗方德的先进GaN工艺，将为高增长市场提供新型650V功率器件。
值得一提的是，配合安森美半导体硅基驱动器和控制器，这些氮化镓产品将助力客户创新开发更小巧、更高效的电源系统，应用于人工智能数据中心、电动汽车、航天领域等。信息显示，合作产品计划于2026年上半年开始向客户提供样品，并快速实现量产。
格罗方德首席商务官Mike Hogan则表示，过整合双方200毫米GaN-on-Si平台与美国本土制造能力，结合安森美深厚的系统与产品专业知识，双方正加速推进高效能解决方案，并为数据中心、汽车、工业、航空航天与国防等关键市场构建韧性供应链。
随着电动车与生成式AI算力持续飙升，650V GaN器件被视为替代传统硅MOSFET的关键技术。行业分析指出，安森美与格罗方德的联手不仅丰富了后者的差异化工艺组合，也令安森美形成从低压横向GaN到超高压垂直GaN的全谱系布局，为2026年新一轮功率电子竞赛占得先机。
