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Qorvo®推出采用紧凑型E1B封装的1200V SiC模块
盖世汽车讯 据外媒报道，连接和电源解决方案供应商Qorvo®宣布推出四款采用紧凑型E1B封装的1200V碳化硅（SiC）模块，其中两款为半桥配置，两款为全桥配置，导通电阻RDS（on）最低为9.4mΩ。这些全新高效率SiC模块非常适合电动汽车充电站、储能、工业电源和太阳能等应用。
图片来源：Qorvo
Qorvo SiC电源产品线市场总监Ramanan Natarajan表示：“该全新系列中的模块可以取代多达四个分立式SiC FET，从而简化热机械设计和装配。我们的共源共栅技术还支持以更高的开关频率运行，通过使用更小的外部元件进一步缩小解决方案的尺寸。这些模块的高效率特性可以简化电源设计流程，让我们的客户能够专注做好单一模块的设计、布局、组装、特性分析和认证，无需应对多个分立式元件。”
以9.4mΩ导通电阻的UHB100SC12E1BC3N为代表，这四款SiC模块均采用Qorvo独特的共源共栅配置，最大限度地降低了导通电阻和开关损耗，从而能够极大地提升效率，这一优势在软开关应用中尤为显著。另外，银烧结芯片贴装将热阻降至0.23 °C/W；与带“SC”的产品型号中的叠层芯片结构相结合，其功率循环性能比市场同类SiC电源模块高出2倍。得益于以上特性，这些高度集成的SiC电源模块不仅易于使用，而且具有卓越的热性能、高功率密度和高可靠性。
