盖世汽车讯 据外媒报道,全球半导体制造商Nexperia宣布推出16款采用CFP2-HP封装的全新低VF优化平面肖特基二极管产...[详细]
盖世汽车讯 12月12日,半导体制造商罗姆(ROHM)开发出表面贴装SiC肖特基势垒二极管(SBD),可通过增加端子之间...[详细]
与普通产品相比,可确保约1.3倍的爬电距离。即使是表贴型也无需进行树脂灌封绝缘处理。...[详细]
盖世汽车讯 据外媒报道,半导体制造商Nexperia宣布推出采用CFP3-HP封装的22种新型平面肖特基二极管(Schottky dio...[详细]
盖世汽车讯 据外媒报道,东芝电子欧洲有限公司(以下简称东芝)宣布推出基于其最新第三代技术的十二个650V碳化硅...[详细]
这种GaN JBS二极管在天然GaN基层上制备,具有创纪录的高击穿电压(915 V)和低导通电阻。...[详细]
盖世汽车讯 据外媒报道,半导体专家Nexperia宣布推出650 V、10 A碳化硅(SiC)肖特基二极管,进入高功率碳化硅二...[详细]
盖世汽车讯 3月5日,英飞凌科技公司推出车用650 V CoolSiC? 混合分立器件(Hybrid Discrete),内含一个50 A TREN...[详细]
(图源:安森美官网)盖世汽车讯 据外媒报道,在2019年欧洲PCIM电力电子贸易展上,安森美半导体公司展示新款基于...[详细]
据外媒报道,安森美半导体于近日宣布,公司旨在其碳化硅肖特基二极管,其中包括要求愈发严苛的汽车应用专用设备。新款AEC-Q101车用级碳化硅二极管可提供当代汽车应用所许多的可靠性、坚固性以及等同于宽禁带技术的诸多性能优势。碳化硅技术可提供卓越的开关性能、可靠性高,二极管没有反向恢复电流,其开关性能与温度无关。二极管采用了耐高电压设计,其采用的终端结构具有独家专利,可提升可靠性及稳定性,其操作温度范围为-55℃至+175℃。详见正文。...[详细]
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