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无锡新洁能股份有限公司简介：无锡新洁能专业从事半导体功率器件的研发与销售。目前公司主要产品包括：12V~200V沟槽型功率MOSFET（N沟道和P沟道）、30V~300V屏蔽栅功率MOSFET（N沟道和P沟道）、500V~900V超结功率MOSFET、600V~1350V沟槽栅场截止型IGBT，相关核心技术已获得多项专利授权，四大系列产品均获得江苏省高新技术产品认定。
公司产品凭借低损耗、高可靠性品质，已成功进入汽车电子、电机驱动、家用电器、消费电子、LED照明、电动车、安防、网络通信等市场领域，获得国内外知名公司的认证。公司利用自身技术优势，与国际知名的8” 晶圆代工厂、封装测试代工厂紧密合作，具备完善的质量管理体系，确保产品的持续优质和稳定供货。
公司是高新技术企业、中国半导体功率器件十强企业（中国半导体协会，2016&2017&2018年），拥有江苏省功率器件工程研究中心、江苏省研究生工作站，注重先进半导体功率器件的研发与产业化，多项研发成果在IEEE、ISPSD等国际期刊/国际会议上发表，并被SCI、EI索引。公司将持续加大研发投入，提升产品竞争力，目标成为具有国际竞争力的半导体功率器件产品与服务供应商。
公司总部位于江苏无锡，设有深圳分公司和宁波分公司。公司宗旨是诚信对待、忠诚服务所有客户和合作者，致力于建立合作共赢的长期协作关系。
| 人员规模 | 100-499人 | 研发人数 | - | |||||||||
| 年销售额 | - | 体系认证 | - | |||||||||
| 公司网址 | - | |||||||||||
| 配套客户 |
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| 直接出口经验 | - | |||||||||||
| 主营产品 | 电子元器件，12V~200V沟槽型功率MOSFET（N沟道和P沟道），30V~300V屏蔽栅功率MOSFET（N沟道和P沟道），500V~900V超结功率MOSFET，600V~1350V沟槽栅场截止型IGBT | |||||||||||
| 法定代表人 | 朱袁正 | 注册资本 | 29820.41万人民币 |
| 经营状态 | 存续 | 实缴资本 | 1000万人民币 |
| 统一社会信用代码 | - | 成立时间 | 2013-01-05 |
| 注册号 | - | 纳税人识别号 | 913202000601816164 |
| 公司性质 | 民营企业 | 组织机构代码 | 06018161-6 |
| 核准日期 | 2023-06-21 | 所属行业 | 研究和试验发展 |
| 所属地 | 江苏省 | 登记机关 | 无锡市行政审批局 |
| 曾用名 | - | 英文名 | Wuxi Ncepower Semiconductor Co.,Ltd. |
| 人员规模 | 100-499人 | 营业期限 | 2013-01-05至无固定期限 |
| 参保人数 | 143人 | 注册地址 | 无锡市新吴区电腾路6号 |
| 序号 | 融资时间 | 融资轮次 | 融资金额 | 投资方 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 2021-09-30 | 定向增发 | 未披露 | 君桐资本 |
| 2 | 2020-09-28 | IPO上市 | 5.04亿人民币 | 公开发行 |
| 3 | 2019-01-01 | 股权融资 | 未披露 | 武岳峰资本 |
| 4 | 2018-12-21 | 定向增发 | 未披露 | 临芯投资 |
| 5 | 2018-05-31 | 股权融资 | 未披露 | 无锡金投 |
| 6 | 2018-01-15 | 定向增发 | 911万人民币 | 在册股东，员工 |
| 7 | 2017-07-03 | 股权融资 | 未披露 | 金浦投资，中汇金，辰韬资本 |
| 8 | 2017-06-16 | 定向增发 | 1.01亿人民币 | 达晨财智，个人投资者，在册股东，长城长富，涌铧投资 |
| 9 | 2016-09-02 | 定向增发 | 未披露 | 国联投资，上海贝岭，新潮集团，新潮集团 |
| 序号 | 专利类型 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日期 | 名称 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 实用新型 | CN211629117U | 2020-10-02 | 复合沟道IGBT器件 |
| 2 | 实用新型 | CN211507642U | 2020-09-15 | 一种降低开关损耗的半导体结构 |
| 3 | 发明公布 | CN111599772A | 2020-08-28 | 一种特殊表面金属化的中大功率半导体器件及制作方法 |
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