北京世纪金光半导体有限公司(以下简称“世纪金光”)是一家贯通碳化硅全产业链的综合半导体企业,是致力于第三代半导体功能材料和功率器件研发与生产的国家级高新技术企业。公司成立于2010年12月,位于北京经济技术开发区。其前身为中原半导体研究所,始建于1970年,至今有50年历史积淀。
公司以“自主创新”为己任,专注于战略新兴半导体的研发与生产,经过多年的发展,已创新性的解决了高纯碳化硅粉料提纯技术、6英寸碳化硅单晶制备技术、高压低导通电阻碳化硅SBD、MOSFET结构及工艺设计技术等。目前已完成从碳化硅功能材料生长、功率元器件和模块制备、行业应用开发和解决方案提供等关键领域的全面布局。
“世纪金光”碳化硅6英寸单晶已量产;功率器件和模块制备已覆盖额定电压650-1700V、额定电流5-100A的碳化硅肖特基二极管(SBD),额定电压650-1200V、额定电流20-100A的金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),50-600A的全桥、半桥混合功率模块及全碳化硅功率模块等。在终端应用方面,世纪金光碳化硅功率器件已经成熟应用于电源PFC、充电桩充电模组、光伏逆变器、特种电源等领域;基于碳化硅技术的新能源汽车电机驱动系统的技术开发已经获得重要进展。
“世纪金光”始终以市场需求为导向,注重自主创新、源头创新,加强科技人才的引进与培养,积累了丰富的科研成果和雄厚的研发力量,为第三代半导体的产业化奠定了坚实基础。公司自成立以来,转接和直接承担国家科研任务80多项,其中12项成果处于国内同类技术领先水平,5项成果达到国际先进水平,取得国家专利超百项。
中国的半导体产业已迈入一个崭新的时代,“世纪金光”将在碳化硅电力电子全产业链的基础上继续向纵深和横向发展,树立半导体产业中国第一张名牌的大企业形象,真正实现公司的使命“降低能耗、引领绿色、打造科技新生活”,在保持自身高速发展的同时,承担更多的社会责任,为股东和客户创造更大价值。
人员规模 | 50-99人 | 研发人数 | - | |||||||||
年销售额 | - | 体系认证 | TS16949, ISO9001, ISO14001 | |||||||||
公司网址 | - | |||||||||||
配套客户 |
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直接出口经验 | - | |||||||||||
主营产品 | 半导体粉料,单晶片,晶体管,碳化硅,碳化硅全桥模块(SiC),碳化硅,SiC | |||||||||||
法定代表人 | 李百泉 | 注册资本 | 37106.31万人民币 |
经营状态 | 存续 | 实缴资本 | 34711.13万人民币 |
统一社会信用代码 | 911103025674741869 | 成立时间 | 2010-12-24 |
注册号 | 110302013480406 | 纳税人识别号 | 911103025674741869 |
公司性质 | 民营企业 | 组织机构代码 | 56747418-6 |
核准日期 | 2023-12-07 | 所属行业 | 计算机、通信和其他电子设备制造业 |
所属地 | 北京市 | 登记机关 | 北京经济技术开发区市场监督管理局 |
曾用名 | - | 英文名 | Beijing Century Goldray Semiconductor Co.Ltd. |
人员规模 | 50-99人 | 营业期限 | 2010-12-24至2030-12-23 |
参保人数 | 70人 | 注册地址 | 北京市北京经济技术开发区通惠干渠路17号院2号楼3层、4层、5层 |
序号 | 专利类型 | 公开(公告)号 | 公开(公告)日期 | 名称 |
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1 | 发明公布 | CN111812359A | 2020-10-23 | 一种SiC MOSFET通用双脉冲测试夹具 |
2 | 发明公布 | CN111755497A | 2020-10-09 | 一种JTE和掩埋FLR复合终端结构功率器件及其制备方法 |
3 | 发明公布 | CN111725291A | 2020-09-29 | 一种JTE内嵌多沟槽复合终端结构功率器件及制作方法 |
序号 | 许可文件编号 | 许可文件名称 | 有效期自 | 有效期至 | 许可机关 | 许可内容 |
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1 | J1000096832201 | 开户许可 | 中国人民银行营业管理部 |