嘉兴斯达半导体股份有限公司成立于2005年4月,是一家专业从事功率半导体元器件尤其是IGBT研发、生产和销售服务的国家级高新技术企业,注册资金1.2亿元。总部位于浙江嘉兴,占地106亩。在国内和欧洲均设有研发中心,是国内IGBT领域的领军企业。
公司主要产品为功率半导体元器件,包括IGBT、MOSFET、IPM、FRD、SiC等等。公司已成功开发近600种IGBT模块产品,电压等级涵盖100V~3300V,电流等级涵盖10A~3600A。产品已被成功应用于新能源汽车、变频器、逆变焊机、UPS、光伏/风力发电、SVG、白色家电等领域。
公司在全球拥有500多位员工(其中科研人员100多名),建立了一支知识密集、专业搭配合理、技术力量雄厚,且极具创新意识、创新激情和创新能力的国际型人才队伍。公司主要技术骨干均来自国际知名高校毕业的博士或硕士,在IGBT 芯片和模块领域有着5~20年的研发和生产经验。公司建立了国际先进的功率模块生产线,建立了完备的产品可靠性实验室和工况模拟实验室等等,可实现IGBT模块等产品的性能和静动态测试、IGBT模块工况模拟测试等。此外,公司也十分重视技术人员的培养,与浙江大学、中科院电工所等科研机构和企业建立了紧密的产学研合作联盟。
嘉兴斯达始终坚持“品质成就梦想”的宗旨,严把质量关。公司已建立ISO9001标准质量管理体系和TS16949,对产品从最初的研发阶段至客户后期服务的整个流程进行全面质量控制。公司还引进了ERP管理系统,对公司的进销存、生产、财务、设备等进行全面的系统性的信息化管理,为企业决策层及员工提供决策运行手段,确保生产的顺利进行和产品的可追踪性。
公司在全球拥有完善的营销网络,采用直销和分销相结合、以直销为主的销售模式,通过在上海、北京、深圳、济南、青岛、成都、武汉、南京、嘉兴和欧洲公司进行产品销售,以确保服务质量,更好地满足客户和市场的需求。
嘉兴斯达经过多年的自主研究发展,打破了国内空白,实现了IGBT模块的产业化。根据2017年国际著名半导体领域研究及咨询公司IHS Research对全球功率半导体领域的市场报告,嘉兴斯达在IGBT模块领域的市场占有率排全球第9位,国内品牌排名第一,是国内IGBT领域的领军企业。
嘉兴斯达将秉承“为客户创造更大价值,为人类创造美好生活”的使命,致力于成为全球领先的电力电子器件研发及制造商,以及电力电子创新解决方案提供商。不断开拓创新,进一步提高产品的技术水平,扩大产能,拓展产品的应用范围,以斯达技术及产品助力中国制造2025,为国家节能减排、减少环境污染,建立绿色繁荣的和谐社会做出贡献。
人员规模 | 500-999人 | 研发人数 | - | |||||||||
年销售额 | - | 体系认证 | - | |||||||||
公司网址 | - | |||||||||||
配套客户 |
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直接出口经验 | - | |||||||||||
主营产品 | IGBT模块,MOSFET模块,半导体封装测试,碳化硅,SiC | |||||||||||
法定代表人 | 沈华 | 注册资本 | 17078.43万人民币 |
经营状态 | 存续 | 实缴资本 | 17078.428万人民币 |
统一社会信用代码 | - | 成立时间 | 2005-04-27 |
注册号 | - | 纳税人识别号 | 913304007731328302 |
公司性质 | 民营企业 | 组织机构代码 | 77313283-0 |
核准日期 | 2023-10-24 | 所属行业 | 计算机、通信和其他电子设备制造业 |
所属地 | 浙江省 | 登记机关 | 浙江省市场监督管理局 |
曾用名 | 嘉兴斯达半导体有限公司;嘉兴斯达半导体股份有限公司; | 英文名 | Starpower Semiconductor Ltd |
人员规模 | 500-999人 | 营业期限 | 2005-04-27至9999-12-31 |
参保人数 | 722人 | 注册地址 | 浙江省嘉兴市南湖区科兴路988号 |
序号 | 融资时间 | 融资轮次 | 融资金额 | 投资方 |
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1 | 2021-11-12 | 定向增发 | 35亿人民币 | 摩根大通,富国基金,巴克莱,瑞银集团,J.P. Morgan Securities LLC,华泰证券,博时基金,润晖投资管理香港有限公司,国投招商,国泰君安,财通基金,瑞华控股,汇添富资本,个人投资者 |
2 | 2020-02-04 | IPO上市 | 5.1亿人民币 | 公开发行 |
3 | 2011-08-25 | A轮 | 未披露 | 华睿投资 |
序号 | 专利类型 | 公开(公告)号 | 公开(公告)日期 | 名称 |
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1 | 实用新型 | CN211789025U | 2020-10-27 | 一种沟槽RC-IGBT器件结构 |
2 | 发明公布 | CN111755502A | 2020-10-09 | 一种沟槽RC-IGBT器件结构及其制作方法 |
3 | 发明公布 | CN111755503A | 2020-10-09 | 一种可变横向掺杂的终端结构及其制作方法 |